最直接的回答万卷不离其宗：摩擦生热
太专业了,看地懂不想看
热量的发生还是I2R，在相同功率下，如果LED的VF值提高，比如37V，那么电流会减小十倍，在相同的导通电阻下，产生的热量会是原来的百分之一。
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实际上，电子在P区与空穴复合时释放的能量，并不是由外电源直接提供的，而是由于该电子在N区时，在没有外电场时，它的能级就比P区的价电子能级高出Eg。当它到达P区后，与空穴复合而成为P区的价电子时，它就会释放出这么多的能量。 Eg的大小是由材料本身决定的，与外电场无关。外电源对电子的作用只是推动它做定向移动，并克服PN结的作用。
LED的产热量与光效无关；不存在百分之几的电功率产生光，其余百分之几的电功率产生热的关系。透过对大功率LED热的产生、热阻、结温概念的理解和理论公式的推导及热阻测量，我们可以研究大功率LED的实际封装设计、评估和产品应用。需要说明的是热量管理是在LED产品的发光效率不高的现阶段的关键问题，从根本上提高发光效率以减少热能的产生才是釜底抽薪之举，这需要芯片制造、LED封装及应用产品开发各环节技术的进步。
keerboboer 发表于 2009-6-16 16:27 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
保留意见，电子的能级差的确与电源无关，断电也客观存在
但是载流子穿过PN结的能量，是电源提供的
电源提供外电场，载流子才能穿过势垒，然后复合发光
最终大概只有30-40％的输入电能转化为光能,如果这句话是真的，则焦耳定律将被打破，89c51 发表于 2009-6-16 21:12 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
焦耳定律貌似只适用于纯电阻吧，要么把光也等效成热来对待
光是热量携带者，光效高所带走的热量就多，89c51 发表于 2009-6-16 21:12 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
这句话很有问题啊
电能并非转化成光能，电能是激发半导体发光，光是由发光半导体损耗而获得的，这就是发光半导体光衰的主要原因。
89c51 发表于 2009-6-16 21:12 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
食物并非被人体吸收，食物是激发人体的生物能。。。。。。
又长知识了!
LED光衰是因为其内部缺陷在高温下长大，导致不发光区域扩大。所以散热很重要。
内量子效率因材料不同而不同。GaInAlP 能达到100％。而GaInN 连50％都不到。
外量子效率 最高 55％，由GaInAlP切割成倒金字塔形状得到。
各位最好还是找些专业著作学习，靠网上这种资料学习不系统、不全面。
学习了
不懂也来看看,看了还是不懂
焦耳定律貌似只适用于纯电阻吧
laomao0000 发表于 2009-6-17 12:11 http://www.shoudian.org/images/common/back.gif
好像不止，最起码电感的电路也适用的。
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也来学习
学习一下。
慢慢看 还是看不懂
Q5的电阻是多少呢？
P=UI，可以得出LED上面损耗掉的功率么。。